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パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際 : MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子

五十嵐征輝編著. -- CQ出版, 2011. -- (Power electronics). <BB02046379>
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パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際 : MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子

五十嵐征輝編著. -- CQ出版, 2011. -- (Power electronics). <BB02046379>
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No. 巻号 所蔵館 配置場所 資料ID 請求記号 状態 返却予定日 予約 WEB書棚
0001 日野館 日野：一般書架 20001685610 /549.6/I 0件
No. 0001
巻号
所蔵館 日野館
配置場所 日野：一般書架
資料ID 20001685610
請求記号 /549.6/I
状態
返却予定日
予約 0件
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書誌詳細

標題および責任表示 パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際 : MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子 / 五十嵐征輝編著
パワー デバイス IGBT カツヨウ ノ キソ ト ジッサイ : MOSFET ト トランジスタ ノ トクチョウ オ イカシタ スイッチング ソシ
出版・頒布事項 東京 : CQ出版 , 2011.4
形態事項 183p ; 21cm
巻号情報
ISBN 9784789836098
書誌構造リンク Power electronics <BB00333222>//a
注記 参考文献: p177-178
学情ID BB05523583
本文言語コード 日本語
著者標目リンク 五十嵐, 征輝(1960-)||イガラシ, セイキ <AU00675589>
分類標目 電子工学 NDC8:549.6
分類標目 電子工学 NDC9:549.6
件名標目等 トランジスター||トランジスター
件名標目等 パワーエレクトロニクス||パワーエレクトロニクス
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